Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK3A60DA(Q,M)
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK3A60DA
TK3A60DA(Q,M) Hakkında
TK3A60DA(Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 10V gate drive voltajında 2.8Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, güç dönüşüm devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 30W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 9nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Through Hole montajı ile PCB'ye direkt entegrasyon yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok