Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK39J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK39J60W
TK39J60W,S1VQ Hakkında
TK39J60W,S1VQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 38.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Super Junction teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, 65mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-3P-3 paketinde sunulan bileşen, 270W güç yayınlayabilen bir yapıya sahiptir. 110nC gate charge ve 4100pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Yüksek voltajlı güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenli bir şekilde çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 270W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 19.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok