Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK39J60W5,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK39J60W5
TK39J60W5,S1VQ Hakkında
TK39J60W5,S1VQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 38.8A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, 65mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 270W güç disipasyon kapasitesi ile güç kaynakları, motor sürücüleri, UPS sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde uygulanır. TO-3P paketlemesi güvenilir montaj ve iyi ısı yayılımı özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 270W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 19.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok