Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK39A60W,S4VX

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TK39A60W

TK39A60W,S4VX Hakkında

TK39A60W,S4VX, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 38.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi yapar. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 65mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli iletim sağlar. Gate charge'ı 110nC ve input kapasitansi 4100pF olan bu MOSFET, endüstriyel güç dönüştürücüleri, invertörler, DC-DC konvertörleri ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulamalar yelpazesine uyum sağlar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 50W güç yayabilme kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 300 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 19.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220SIS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.9mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok