Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK380P65Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK380P65Y
TK380P65Y,RQ Hakkında
TK380P65Y,RQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 9.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 380mΩ maksimum Rds(On) değeri ile enerji verimliliği sağlar. DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürülme geriliminde çalışır ve ±30V maksimum gate gerilimi toleransına sahiptir. 150°C üst çalışma sıcaklığında 80W güç tüketebilir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, şarj cihazları, DC-DC konvertörler ve motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Surface mount montajı ile kompakt tasarımlara uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 360µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok