Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK380P60Y,RQ

MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
TK380P60Y

TK380P60Y,RQ Hakkında

TK380P60Y,RQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 9.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 380mΩ maksimum Rds(On) değerine sahiptir. ±30V maksimum gate gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. 30W maksimum güç dağılımı özelliğiyle, endüstriyel güç uygulamaları, anahtarlama devreleri, AC/DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. Düşük on-resistance ve kompakt DPAK paketlemesi, yüksek verimlilik gerektiren uygulamalara uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 300 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 4.9A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 360µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok