Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK35N65W5,S1F
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK35N65W5
TK35N65W5,S1F Hakkında
TK35N65W5,S1F, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 95mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 270W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalara uygun tasarlanmıştır. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli şekilde kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 270W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok