Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK35E08N1,S1X
MOSFET N-CH 80V 55A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK35E08N1
TK35E08N1,S1X Hakkında
Toshiba TK35E08N1,S1X, 80V/55A N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paket ile sunulan bu bileşen, 12.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. 25nC gate charge ve 1700pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 72W maksimum güç tüketimi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi yüksek akım uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate voltaj aralığı ile geniş uygulama spektrumunu destekler. 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.2mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok