Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK35A08N1,S4X
MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK35A08N1
TK35A08N1,S4X Hakkında
TK35A08N1,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrol, güç dönüştürme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sağlanan bu bileşen, 10mOhm'den düşük RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı ve verimli çalışma sağlar. -20V ile +20V arası gate-source gerilimi kabulü yapabilir. 150°C maksimum jonksiyon sıcaklığında 30W güç saçabilir. Bilgisayar uygulamaları, endüstriyel kontrol, AC/DC konvertörleri ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.2mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok