Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK34E10N1,S1X
MOSFET N-CH 100V 75A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK34E10N1
TK34E10N1,S1X Hakkında
TK34E10N1,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, düşük on-direnci (9.5mOhm @ 17A, 10V) ile ısıl kayıpları minimumda tutarak verimli çalışma sağlar. Gate charge değeri 38nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren devrelerde uygundur. 150°C maksimum junction sıcaklığında 103W güç tüketebilen bu transistör, motor sürücüleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlaması gereken endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate gerilimi aralığında güvenli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 103W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok