Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK33S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK33S10N1Z
TK33S10N1Z,LQ Hakkında
TK33S10N1Z,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 33A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 9.7mOhm tipik RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252-3 (DPAK) paketinde sunulan bu komponent, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 125W güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok