Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK33S10N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK33S10N1L
TK33S10N1L,LXHQ Hakkında
Toshiba TK33S10N1L,LXHQ, 100V ve 33A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate-source geriliminde 9.7mOhm on-resistance değeri ile düşük kayıplı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 2.5V threshold gerilimi ile hızlı ve güvenilir kontrol sağlar. 125W güç harcama kapasitesi ve 175°C çalışma sıcaklığında, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (33nC @ 10V) ile enerji verimli tasarımlar gerçekleştirilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok