Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK32E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK32E12N1
TK32E12N1,S1X Hakkında
Toshiba TK32E12N1,S1X, 120V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 60A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-220-3 paketinde üretilmektedir. Maksimum 13.8mOhm on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. Gate charge karakteristiği 34nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. İnverterler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlamalı güç dönüştürücüler gibi yüksek akım gerektiren uygulamalarda kullanılır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığı ve 98W güç yayılımı kapasitesi ile endüstriyel ve ticari cihazlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 98W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok