Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK32A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK32A12N1
TK32A12N1,S4X Hakkında
TK32A12N1,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistördür. 120V drain-source gerilimi ve 32A sürekli drain akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç amplifikatörleri ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 13.8mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 34nC gate charge ile hızlı komütasyon özellikleri ve 150°C çalışma sıcaklığı desteği ile endüstriyel uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok