Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK31V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK31V60W
TK31V60W,LVQ Hakkında
TK31V60W,LVQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisine sahip bu bileşen, 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. 25°C'de 30.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, invertör, anahtarlama ve enerji yönetimi devrelerinde yer alır. 98mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. 4-DFN-EP (8x8) yüzey montajlı pakette sunulan bileşen, -150°C'ye kadar çalışma sıcaklığını destekler. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, solar invertörleri ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 15.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok