Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK31V60W5,LVQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK31V60W5
TK31V60W5,LVQ Hakkında
Toshiba TK31V60W5,LVQ, 600V dayanıklılığa sahip N-Channel MOSFET transistördür. 30.8A sürekli dren akımı ve 109mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4-DFN-EP (8x8) yüzey montaj paketi içerisinde sunulur. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 240W güç yayabilen bu komponent, endüstriyel güç dönüştürücüler, motor sürücüler, SMPS devreleri ve enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 105nC gate charge ve 3000pF input kapasitansı değerleri hızlı anahtarlama operasyonlarına olanak tanır. ±30V maksimum gate voltajı ile geniş uygulama alanlarında kullanıma uygun, aktif üretimde olan bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TA) |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 109mOhm @ 15.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok