Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK31N60X,S1F
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK31N60X
TK31N60X,S1F Hakkında
TK31N60X,S1F, Toshiba tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisine sahip bu bileşen, 30.8A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 88mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürücüler, invertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±30V giriş gerilim aralığında çalışabilen transistör, 150°C işletme sıcaklığına dayanır ve 230W güç kayıplandırma kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88mOhm @ 9.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok