Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK31J60W5,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK31J60W5
TK31J60W5,S1VQ Hakkında
TK31J60W5,S1VQ, Toshiba tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 30.8A sürekli drain akımı ve 88mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. TO-3P paketinde sunulan transistör, 230W güç tüketim kapasitesine sahiptir. 105nC gate charge ve 3000pF input kapasitansi değerleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı, yüksek güçlü uygulamalarda kullanılmaya uygundur. Endüstriyel konvertörler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve enerji yönetimi sistemlerinde yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88mOhm @ 15.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok