Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK31E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK31E60X
TK31E60X,S1X Hakkında
TK31E60X,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 30.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Super Junction teknolojisine sahip bu transistör, 230W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), inverter ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, 10V kapı geriliminde 88mΩ maksimum RDS(ON) değerine sahiptir. 65nC gate charge ve 3000pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlamayı destekler. -150°C'ye kadar çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88mOhm @ 9.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok