Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK31A60W,S4VX

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TK31A60W

TK31A60W,S4VX Hakkında

TK31A60W,S4VX, Toshiba tarafından üretilen N-Channel Super Junction MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj, 30.8A sürekli drenaj akımı ve 88mΩ (maximum) RDS(on) değeri ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve adaptörlerde görev alır. 150°C işletme sıcaklığına, ±30V maksimum gate-source voltajına ve 45W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Super Junction teknolojisi sayesinde daha düşük RDS(on) ve hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 300 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88mOhm @ 15.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220SIS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok