Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK30E06N1,S1X
MOSFET N-CH 60V 43A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK30E06N1
TK30E06N1,S1X Hakkında
TK30E06N1,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. TO-220-3 kasa formatında sunulan bu bileşen, 60V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 43A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V kapı geriliminde 15mΩ'luk düşük Rds(On) değeri veya yüksek güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. 16nC kapı yükü ve 1050pF giriş kapasitesi ile hızlı komütasyon özelliği sunar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında ve 53W güç tüketim kapasitesi ile motorlar, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok