Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK30A06N1,S4X

MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TK30A06N1

TK30A06N1,S4X Hakkında

TK30A06N1,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüm voltajında 15mOhm on-direnci ve 16nC gate yükü ile düşük güç kaybı ve hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -150°C işletme sıcaklığında 25W güç saçılım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-220SIS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 200µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok