Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK2R4E08QM,S1X
UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK2R4E08QM
TK2R4E08QM,S1X Hakkında
Toshiba TK2R4E08QM,S1X, N-Channel MOSFET transistörüdür ve UMOS10 teknolojisine dayanmaktadır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 80V Drain-Source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 2.44mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 300W güç dağılımı kabiliyeti ile güç uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, anahtarlama güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. ±20V maksimum Gate-Source gerilimi ve 3.5V eşik gerilimi ile geniş uygulamalar için uygun durumdadır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.44mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok