Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK2R4A08QM,S4X
UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK2R4A08QM
TK2R4A08QM,S4X Hakkında
TK2R4A08QM,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. UMOS10 teknolojisine dayanan bu bileşen, 80V drain-source voltajında 100A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, 2.44mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunmaktadır. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile +175°C işletme sıcaklığında kullanılabilir. 47W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle, endüstriyel güç kontrol uygulamaları, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek akımlı DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 179 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.44mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok