Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK2Q60D(Q)
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK2Q60D
TK2Q60D(Q) Hakkında
TK2Q60D(Q), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajına sahip bu bileşen, 2A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) kapsülemesi sayesinde yüksek ısı yayılımı sağlayan montaj özellikleri sunmaktadır. 4.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı karakteristiğine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlamalar gibi 600V'a kadar çalışan sistemlerde yaygın olarak kullanılır. 150°C'ye kadar sıcaklık toleransı ile güvenilir uzun süreli işletme sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PW-MOLD2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok