Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK2P60D(TE16L1,NV)
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK2P60D
TK2P60D(TE16L1,NV) Hakkında
TK2P60D(TE16L1,NV), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2A sürekli dren akımı (Id) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 4.3Ω maksimum on-direnci (Rds On) ve 60W güç tüketimi kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, adapter ve şarj cihazları, endüstriyel kontrol sistemleri ve AC/DC konvertörlerde uygulanır. TO-252 (DPak) gövdesinde temin edilen bileşen, ±30V gate gerilimi ve 7nC gate yükü (Qg) özellikleriyle kompakt ve verimli tasarımlar için idealdir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PW-MOLD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok