Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK2A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK2A65D
TK2A65D(STA4,Q,M) Hakkında
TK2A65D, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipinde through-hole montajı destekler. 10V gate sürücü geriliminde 3.26Ω maksimum RDS(ON) değerine sahiptir. Maksimum gate charge 9nC ve input kapasitansi 380pF'dir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 30W güç dissipasyonuna dayanabilir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, switching uygulamaları ve yüksek voltaj dc-dc konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.26Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok