Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK290P65Y,RQ
MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK290P65Y
TK290P65Y,RQ Hakkında
TK290P65Y,RQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 11.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. DPAK (TO-252-3) yüzey montajı paketi ile PCB'ye direkt entegre edilebilir. 290mOhm maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde), 25nC gate charge ve 730pF input kapasitansi özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -30V ile +30V gate gerilim aralığında çalışabilen bu transistör, 150°C maksimum junction sıcaklığında 100W güç tüketebilir. SMPS (Switched-Mode Power Supply), DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve endüstriyel güç yönetim devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 450µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok