Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK28V65W,LQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK28V65W
TK28V65W,LQ Hakkında
TK28V65W,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 27.6A sürekli drain akımı kapasitesi sayesinde güç dönüştürme, invertör, anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 120mOhm on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. 4-VSFN SMD paketinde sunulan bu transistör, 150°C'ye kadar çalışabilir ve 240W güç haritalandırma kapasitesine sahiptir. Sürücü devrelerine ±30V aralığında gerilim uygulanabilen transistör, düşük gate charge gereksinimleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 13.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok