Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK28V65W5,LQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK28V65W5
TK28V65W5,LQ Hakkında
TK28V65W5,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim derecelendirilmesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 27.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 140mOhm maksimum RDS(on) değeri ile etkin iletim özelliği sunar. 90nC gate charge ve 3000pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 150°C işletme sıcaklığı ve 240W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrolü ve anahtarlamalı güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. 4-VSFN DFN paketinde sunulan bu MOSFET, yüzey montaj teknolojisine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 13.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok