Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK28N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK28N65W
TK28N65W,S1F Hakkında
TK28N65W,S1F, Toshiba tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 27.6A sürekli drain akımı özellikleriyle yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 110mΩ maksimum açık kanal dirençi (RdsOn) ile verimli güç dağıtımı sağlar. 150°C çalışma sıcaklığı ve 230W güç tüketim kapasitesiyle, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol sistemleri, AC/DC konvertörleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Through-hole montaj türü ile geleneksel PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir. ±30V maksimum gate-source gerilimine sahip transistör, 10V drive voltajda optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 13.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok