Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK28N65W5,S1F
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK28N65W5
TK28N65W5,S1F Hakkında
TK28N65W5,S1F, Toshiba tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 27.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, elektrik motor kontrolü, DC-DC konvertörler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 10V gate voltajında 130mΩ maksimum RDS(On) değeri ile verimliliği maksimize eder. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 230W güç dağıtımı kapasitesi ile yüksek güç yoğun tasarımlara uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok