Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK25V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 25A 4DFN
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK25V60X
TK25V60X,LQ Hakkında
TK25V60X,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 25A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 135mOhm tipik RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 4-DFN-EP (8x8) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ve 180W güç dağıtım kapasitesi ile uzun ömürlü performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok