Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK25S06N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK25S06N1L
TK25S06N1L,LXHQ Hakkında
TK25S06N1L,LXHQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 25A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 4.5V gate sürme geriliminde 36.8mΩ maksimum on-direnci sunar. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 175°C işletme sıcaklığı ve 57W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 855 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36.8mOhm @ 12.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok