Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK25E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK25E60X
TK25E60X,S1X Hakkında
Toshiba TK25E60X,S1X, N-Channel MOSFET transistördür ve 600V drain-source voltajında 25A sürekli drenaj akımı sağlar. TO-220-3 paketinde üretilen bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 125mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. 10V kapı sürme voltajında çalışır ve maksimum 180W güç harcaması kapasitesine sahiptir. Endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürme sistemleri ve yüksek voltajlı anahtarlama devreleri için uygun bir bileşendir. ±30V maksimum kapı-kaynak voltajı aralığında güvenle çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok