Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK25E60X5,S1X

MOSFET N-CH 600V 25A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
TK25E60X5

TK25E60X5,S1X Hakkında

Toshiba TK25E60X5,S1X, 600V 25A N-Channel MOSFET transistörü olup TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. Bu bileşen yüksek voltaj uygulamalarında anahtar (switching) görevi üstlenmek üzere tasarlanmıştır. 25A sürekli dren akımı ve 600V dren-kaynak gerilimi ile güç elektronik devrelerinde, DC/DC dönüştürücülerde, inverterlerde ve motor sürücülerinde kullanılabilir. 140mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını sınırlandırır. 10V kapı gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyeleri ile uyumlu çalışabilmektedir. ±30V maksimum kapı gerilimi aralığında güvenli işletim sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 180W güç dağıtımında çalışabilir. Through-hole montaj türü sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 300 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok