Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK22E10N1,S1X
MOSFET N CH 100V 52A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK22E10N1
TK22E10N1,S1X Hakkında
Toshiba TK22E10N1,S1X, 100V 52A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paket formatında tasarlanan bu komponent, maksimum 13.8mOhm (10V, 11A) on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 28nC gate charge ve 1800pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. ±20V gate voltajı ve 4V gate threshold voltajıyla esnek sürücü gereksinimleri karşılar. 72W maksimum güç dağıtımı ve 150°C çalışma sıcaklığı desteğiyle endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devrelerinde, güç kaynağı tasarımlarında ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi, yüksek akım işleme kapasitesi ve dayanıklı yapısıyla güvenilir bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok