Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK22A10N1,S4X

MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TK22A10N1

TK22A10N1,S4X Hakkında

Toshiba TK22A10N1,S4X, 100V 22A rated N-channel MOSFET transistör olup, yüksek akım uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrol işlevleri için kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 13.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 30W maksimum güç dağılımı kapasitesi, 28nC gate charge ve ±20V maksimum gate voltajı ile motor kontrolleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-220SIS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 300µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok