Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK210V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK210V65Z
TK210V65Z,LQ Hakkında
TK210V65Z,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 210mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 4-VSFN paketinde gelmektedir. Endüstriyel motor kontrolleri, güç kaynakları, inverterler ve yüksek voltajlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş çalışma aralığı sunar. -150°C işletme sıcaklığına kadar güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 610µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok