Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK20V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK20V60W
TK20V60W,LVQ Hakkında
TK20V60W,LVQ, Toshiba tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Super Junction teknolojisi sayesinde düşük on-state direnci (170mOhm @ 10A, 10V) ve hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. 4-DFN-EP (8x8) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), AC/DC adaptörleri ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 156W güç tüketimi ve ±30V gate-source gerilim aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok