Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK20V60W5,LVQ
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK20V60W5
TK20V60W5,LVQ Hakkında
TK20V60W5,LVQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı özellikleriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4-DFN-EP (8x8) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, 190mΩ maximum on-resistance değeri ile verimli performans sağlar. Gate charge 55nC ve threshold gerilimi 4.5V'dur. Maksimum 156W güç dağıtımı kapasitesi ve ±30V maksimum gate gerilimi ile endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC konverterler gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-DFN-EP (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok