Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK20N60W,S1VF
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK20N60W
TK20N60W,S1VF Hakkında
TK20N60W,S1VF, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 165W güç tüketimi kapasitesine sahip olan bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. 155mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama hızlı ve verimlidir. Endüstriyel güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve AC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. ±30V gate voltajı ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok