Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK20G60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK20G60W
TK20G60W,RVQ Hakkında
TK20G60W,RVQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış olup, D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 155mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. 150°C çalışma sıcaklığı ve 165W güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürme devreler, anahtarlama uygulamaları ve motor sürücülerinde kullanılır. ±30V Vgs ve 3.7V eşik gerilimi ile kontrol devreleri tarafından kolayca yönetilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok