Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK20E60W5,S1VX
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK20E60W5
TK20E60W5,S1VX Hakkında
TK20E60W5,S1VX, Toshiba tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç dönüştürme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 175mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanabilen ve 165W güç dağıtma kapasitesine sahip bu MOSFET, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invörtörler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. ±30V gate gerilimi aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok