Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK20C60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK20C60W
TK20C60W,S1VQ Hakkında
TK20C60W,S1VQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 155mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 48nC gate charge değeri ile düşük sürü kaybına sahiptir. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 165W güç tüketebilir ve -40°C ile +150°C arasında çalışır. Bileşen obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok