Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK200F04N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK200F04N1L
TK200F04N1L,LXGQ Hakkında
Toshiba TK200F04N1L,LXGQ, N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj ve 200A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 0.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulur. Güç elektronikleri, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 175°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 214 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14920 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SM(W) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok