Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK1R4S04PB,LXHQ
MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK1R4S04PB
TK1R4S04PB,LXHQ Hakkında
Toshiba TK1R4S04PB, N-Channel MOSFET transistörü olup 40V drain-source geriliminde 120A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. TO-252-3 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 1.9mΩ (6V, 60A'de) düşük on-state direncine ve 180W maksimum güç tüketimine sahiptir. 103nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. ±20V gate-source gerilim sınırına ve 175°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilen bu transistör, güç amplifikatörleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 60A, 6V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok