Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK1R4F04PB,LXGQ
MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK1R4F04PB
TK1R4F04PB,LXGQ Hakkında
Toshiba TK1R4F04PB,LXGQ, 40V N-Channel MOSFET olup 160A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.9mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Maksimum 205W güç dağıtabilir ve -40°C ile +175°C arasında çalışır. Gate charge değeri 103nC ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 205W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 80A, 6V |
| Supplier Device Package | TO-220SM(W) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok