Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK1K9A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK1K9A60F
TK1K9A60F,S4X Hakkında
TK1K9A60F,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 3.7A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde gelen bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel güç elektroniği sistemlerinde kullanılır. 1.9Ω maksimum Rds(on) değeri ve 14nC gate charge karakteristiğiyle verimli komütasyon sağlar. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok