Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK1K7A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK1K7A60F
TK1K7A60F,S4X Hakkında
TK1K7A60F,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 4A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 1.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 35W güç dağıtımı kapasitesi ve -150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. İnverter, güç kaynağı, motor sürücü ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 460µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok